JANTXV1N4103-1和JANTXV1N4103C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTXV1N4103-1 JANTXV1N4103C 1N4103

描述 硅500毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 500mA LOW NOISE ZENER DIODES硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 - 2

封装 DO-204AH DO-35 DO-204AH

容差 ±5 % - ±5 %

正向电压 1.1V @200mA - 1.1V @200mA

耗散功率 0.5 W 500 mW 0.5 W

测试电流 0.25 mA - 0.25 mA

稳压值 9.1 V 9.1 V 9.1 V

额定功率(Max) 500 mW - 500 mW

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

长度 5.08 mm - 5.08 mm

宽度 - - 2.29 mm

高度 - - 2.29 mm

封装 DO-204AH DO-35 DO-204AH

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Bag - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant - Non-Compliant

含铅标准 -

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