对比图
型号 IRF630SPBF IRFS4227PBF IRFS4127PBF
描述 VISHAY IRF630SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 300 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IRFS4227PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 200 V, 26 mohm, 10 V, 5 VINFINEON IRFS4127PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 200 V, 0.0186 ohm, 20 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
额定功率 - 330 W 375 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 300 mΩ 0.026 Ω 0.0186 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 74 W 330 W 375 W
阈值电压 4 V 5 V 5 V
输入电容 - 4600 pF -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 9.00 A 62A 72A
上升时间 - 20 ns 18 ns
输入电容(Ciss) 800pF @25V(Vds) 4600pF @25V(Vds) 5380pF @50V(Vds)
额定功率(Max) - 330 W 375 W
下降时间 - 31 ns 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 180 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3000 mW 330W (Tc) 375W (Tc)
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 200 V
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.67 mm
宽度 9.65 mm 9.65 mm 6.22 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
工作温度 - -40℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 - Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17