对比图
型号 STP11N65M5 STU8N65M5 STI200N6F3
描述 N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsI2PAK N-CH 60V 120A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-262-3
引脚数 3 3 -
极性 - N-Channel N-CH
耗散功率 85 W 70 W 330W (Tc)
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 60 V
连续漏极电流(Ids) - - 120A
输入电容(Ciss) 644pF @100V(Vds) 690pF @100V(Vds) 6265pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 85W (Tc) 70W (Tc) 330W (Tc)
漏源极电阻 480 mΩ 0.56 Ω -
阈值电压 - 4 V -
上升时间 - 14 ns -
额定功率(Max) 85 W 70 W -
下降时间 - 11 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
通道数 1 - -
漏源击穿电压 650 V - -
封装 TO-220-3 TO-251-3 TO-262-3
长度 10.4 mm 6.6 mm -
宽度 4.6 mm 2.4 mm -
高度 15.75 mm 6.9 mm -
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free PB free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -