FDA59N25和IRFP4768PBF

对比图

型号 FDA59N25 IRFP4768PBF FDA59N30

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDA59N25  晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 250 V, 49 mohm, 10 V, 5 VINFINEON  IRFP4768PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 250 V, 0.0145 ohm, 10 V, 5 VFDA59N30 系列 300 V 0.047 Ohms N 沟道 Mosfet TO-3PN

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 3

封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-3-3

通道数 1 - -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 49 mΩ 0.0145 Ω 0.047 Ω

极性 N-Channel N-CH -

耗散功率 392 W 520 W 500 W

阈值电压 5 V 5 V 5 V

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 300 V

漏源击穿电压 250 V - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 59.0 A 93A -

上升时间 480 ns 160 ns 575 ns

输入电容(Ciss) 4020pF @25V(Vds) 10880pF @50V(Vds) 4670pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 392 W 520 W 500 W

下降时间 170 ns 110 ns 200 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 392W (Tc) 520W (Tc) 500000 mW

额定功率 - 520 W -

输入电容 - 10880 pF -

长度 16.2 mm 15.87 mm -

宽度 5 mm 5.31 mm -

高度 20.1 mm 20.7 mm -

封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-3-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 NLR - -