IPB080N06NG和IPB77N06S3-09

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB080N06NG IPB77N06S3-09 HUFA75344S3T

描述 OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-TransistorPower Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, TO-262AA, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 晶体管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TO-263 TO-263-3-2 -

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 60.0 V 55.0 V -

额定电流 80.0 A 77.0 A -

输入电容 3.50 nF 5.34 nF -

栅电荷 93.0 nC 103 nC -

漏源极电压(Vds) 60 V 55 V -

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 77.0 A -

输入电容(Ciss) 3500pF @30V(Vds) 5335pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 214 W - -

极性 - N-CH -

耗散功率 - 107 W -

上升时间 - 51 ns -

下降时间 - 51 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 107W (Tc) -

封装 TO-263 TO-263-3-2 -

长度 - 10 mm -

宽度 - 9.25 mm -

高度 - 4.4 mm -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

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