对比图
型号 IRFR5410TRPBF IRFR5410TRRPBF IRFR5410PBF
描述 HEXFET® P 通道功率 MOSFET，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。P沟道 100V 13AINTERNATIONAL RECTIFIER IRFR5410PBF 场效应管, P通道, MOSFET, -100V, 13A, D-PAK 新
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 66 W 66 W -
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.205 Ω - 0.205 Ω
极性 P-CH P-CH P-Channel
耗散功率 66 W 66 W 66 W
阈值电压 4 V - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 13A 13A -13.0 A
上升时间 58 ns 58 ns 58 ns
输入电容(Ciss) 760pF @25V(Vds) 760pF @25V(Vds) 760pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 66 W 66 W 66 W
下降时间 46 ns 46 ns 46 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 66W (Tc) 66W (Tc) 66000 mW
额定电压(DC) - - -100 V
额定电流 - - -13.0 A
产品系列 - - IRFR5410
漏源击穿电压 - - -100 V
通道数 - 1 -
长度 6.73 mm - 6.73 mm
宽度 6.22 mm - -
高度 2.39 mm - 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 - - EAR99