UCC37323D和UCC37323DR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UCC37323D UCC37323DR TC4426EOA

描述 MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET DriversMICROCHIP  TC4426EOA  双功率驱动器, 低压侧, 4.5V-18V电源, 1.5A输出, 40ns延迟, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Microchip (微芯)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 4.00V (min) 4.00V (min) 4.50V (min)

工作电压 - - 4.5V ~ 18V

上升/下降时间 20ns, 15ns 20ns, 15ns 19 ns

输出接口数 2 2 2

输出电压 - - 18.0 V

输出电流 - - 1.5 A

供电电流 0.45 mA - 4.50 mA

通道数 - - 2

针脚数 - - 8

耗散功率 1.14 W 1.14 W 0.47 W

上升时间 40 ns 40 ns 40ns (Max)

下降时间 40 ns 40 ns 40ns (Max)

下降时间(Max) 40 ns 40 ns 30 ns

上升时间(Max) 40 ns 40 ns 30 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1140 mW 1140 mW 470 mW

电源电压 4V ~ 15V 4.5V ~ 15V 4.5V ~ 18V

电源电压(Max) 15 V - 18 V

电源电压(Min) 4 V - 4.5 V

输出电流(Max) - 4.5 A -

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

高度 1.58 mm - 1.42 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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