对比图
描述 功率晶体管 POWER TRANSISTORON SEMICONDUCTOR MJE13007G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 400 V, 14 MHz, 80 W, 8 A, 4 hFE
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3
额定电压(DC) 400 V 400 V
额定电流 8.00 A 8.00 A
极性 NPN NPN
耗散功率 80 W 80 W
击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V
集电极最大允许电流 8A 8A
最小电流放大倍数(hFE) 5 @5A, 5V 5 @5A, 5V
最大电流放大倍数(hFE) 30 -
额定功率(Max) 80 W 80 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
频率 - 14 MHz
针脚数 - 3
上升时间 - 1.5 µs
热阻 - 1.56℃/W (RθJC)
直流电流增益(hFE) - 4
下降时间 - 0.7 µs
耗散功率(Max) - 80000 mW
长度 10.28 mm 10.28 mm
宽度 4.82 mm 4.82 mm
高度 9.28 mm 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃
材质 - Silicon
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tube Tube
最小包装 50 -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99