J111和J111_D75Z

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 J111 J111_D75Z J111_D26Z

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  J111  晶体管, 射频FET, 35 V, 625 mW, TO-92JFET N-CH 35V 625mW TO92FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  J111_D26Z  晶体管, JFET, JFET, -35 V, 20 mA, -10 V, TO-226AA, JFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

漏源极电阻 30 Ω 30 Ω 30 Ω

击穿电压 35 V 35 V 35 V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

额定电压(DC) 35.0 V - 35.0 V

额定电流 50.0 mA - 50.0 mA

额定功率 350 mW - -

击穿电压 -35.0 V - -

针脚数 3 - -

极性 N-Channel - -

耗散功率 625 mW - 625 mW

漏源极电压(Vds) 35 V - 35.0 V

连续漏极电流(Ids) 20.0 mA - 20.0 mA

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 625 mW

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

长度 5.2 mm - -

宽度 4.19 mm - -

高度 5.33 mm - 5.33 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bulk Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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