对比图
型号 FDD6680S FDD6680S_NL FDD6680AS
描述 30V N沟道的PowerTrench SyncFET⑩ 30V N-Channel PowerTrench SyncFET⑩30V N-Channel PowerTrench SyncFETPowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
封装 TO-252 TO-252 TO-252-3
安装方式 - - Surface Mount
引脚数 - - 3
极性 N-CH N-CH N-Channel
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 55A 55A 55.0 A
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 55.0 A
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.0105 Ω
耗散功率 - - 60 mW
阈值电压 - - 1.4 V
输入电容 - - 1.20 nF
栅电荷 - - 21.0 nC
漏源击穿电压 - - 30.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
上升时间 - - 6 ns
输入电容(Ciss) - - 1200pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - - 1.3 W
下降时间 - - 12 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 60W (Ta)
封装 TO-252 TO-252 TO-252-3
长度 - - 6.73 mm
宽度 - - 6.22 mm
高度 - - 2.39 mm
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Exempt RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99