对比图
型号 SFI2955TU SPB08P06PG SPP08P06PH
描述 MOSFET Power P-CH/60V/9.4A/0.3ΩSIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor60V,-8.8A,P沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
封装 TO-262 TO-263 TO-220
引脚数 - 3 -
漏源极电阻 300 mΩ - -
极性 P-Channel P-Channel P-CH
耗散功率 3.80 W - -
漏源极电压(Vds) 60 V 60.0 V 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 9.4A 8.80 A 8.8A
额定电压(DC) - -60.0 V -
额定电流 - -8.80 A -
输入电容 - 420 pF -
栅电荷 - 15.0 nC -
上升时间 - - 46 ns
下降时间 - - 14 ns
封装 TO-262 TO-263 TO-220
产品生命周期 Unknown End of Life Active
包装方式 Tube - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃