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SPB08P06PG中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -8.80 A

极性 P-Channel

输入电容 420 pF

栅电荷 15.0 nC

漏源极电压Vds 60.0 V

连续漏极电流Ids 8.80 A

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

其他

产品生命周期 End of Life

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买SPB08P06PG

型号： SPB08P06PG

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

替代型号SPB08P06PG

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

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