2N3762和JANTX2N3762

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3762 JANTX2N3762 JANTXV2N3762L

描述 PNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTORPNP开关硅晶体管 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTORPower Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Raytheon (雷神)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-39 TO-39 -

耗散功率 1 W - -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW -

极性 - PNP -

击穿电压(集电极-发射极) - 40 V -

集电极最大允许电流 - 1.5A -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @1A, 1.5V -

额定功率(Max) - 1 W -

封装 TO-39 TO-39 -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bag Bag -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -

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