CY7C15632KV18-500BZXC和CY7C15632KV18-500BZXI

对比图

型号 CY7C15632KV18-500BZXC CY7C15632KV18-500BZXI CY7C15632KV18-500BZC

描述 72兆位QDR® II SRAM四字突发架构（ 2.5周期读延迟） 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)72兆位QDR® II SRAM四字突发架构（ 2.5周期读延迟） 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)72兆位QDR® II SRAM四字突发架构（ 2.5周期读延迟） 72-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

位数 - 18 -

存取时间(Max) - 0.45 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

存取时间 - - 0.45 ns

电源电压(Max) - - 1.9 V

电源电压(Min) - - 1.7 V

高度 0.89 mm 0.89 mm 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

长度 15 mm - -

宽度 13 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free PB free Contains Lead

ECCN代码 - 3A991.b.2.a -