对比图
型号 IRL3705ZPBF STP80NF55-08 STP60N55F3
描述 N沟道,55V,75A,8mΩ@10VSTMICROELECTRONICS STP80NF55-08 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 VN沟道55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO- 220 / FP的STripFET TM功率MOSFET N-channel 55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO-220/FP STripFET TM Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V -
额定电流 75.0 A 80.0 A -
漏源极电阻 12 mΩ 0.008 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 130 W 300 W 110 W
产品系列 IRL3705Z - -
输入电容 2880pF @25V - -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 55.0 V 55.0 V -
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 80.0 A -
上升时间 240 ns 110 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 2880pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 130 W 300 W 110 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
下降时间 - 35 ns 11.5 ns
耗散功率(Max) - 300 W 110W (Tc)
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 3 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 10.66 mm 10.4 mm -
高度 9.02 mm 15.75 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
宽度 - 4.6 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99