MPSW01A和MPSW01ARLRPG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPSW01A MPSW01ARLRPG MPSW01ARLRAG

描述 一瓦高电流晶体管( NPN硅) One Watt High Current Transistors(NPN Silicon)一瓦高电流晶体管NPN硅 One Watt High Current Transistors NPN Silicon一瓦高电流晶体管NPN硅 One Watt High Current Transistors NPN Silicon

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V 40.0 V

额定电流 1.00 A 1.00 A 1.00 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.01 W 1 W 1000 mW

增益频宽积 50 MHz - -

集电极击穿电压 40.0 V 40.0 V 40.0 V

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

最小电流放大倍数(hFE) 60 @100mA, 1V 60 @100mA, 1V 60 @100mA, 1V

额定功率(Max) 1 W 1 W 1 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1 W 1000 mW 1000 mW

频率 - 50 MHz -

集电极最大允许电流 - 1A 1A

长度 5.21 mm - -

宽度 4.19 mm - -

高度 7.87 mm - -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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