IRLM210A和IRLM210ATF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLM210A IRLM210ATF

描述 先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFETTrans MOSFET N-CH 200V 0.77A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-223 SOT-223-4

额定电压(DC) - 200 V

额定电流 - 770 mA

漏源极电阻 - 1.50 Ω

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 - 1.8 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

漏源击穿电压 - 200 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 0.77A 770 mA

输入电容(Ciss) - 240pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 1.8W (Tc)

封装 SOT-223 SOT-223-4

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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