IRLML6346TRPBF和SI2300DS-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLML6346TRPBF SI2300DS-T1-GE3 2SK3577-T1B-A

描述 INFINEON  IRLML6346TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.4 A, 30 V, 0.046 ohm, 4.5 V, 800 mV 新VISHAY  SI2300DS-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 30 V, 0.055 ohm, 4.5 V, 600 mVTrans MOSFET N-CH 30V 3.5A 3Pin SC-59

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SC-96

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.046 Ω 0.055 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 1.3 W 1.7 W 1.25 W

阈值电压 800 mV 600 mV -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

上升时间 4 ns 15 ns 200 ns

下降时间 4.9 ns 11 ns 120 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

额定功率 1.3 W - -

产品系列 IRLML6346 - -

输入电容 270 pF - -

连续漏极电流(Ids) 3.4A - -

输入电容(Ciss) 270pF @24V(Vds) - 260pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 1.3 W - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 1.3W (Ta) - 1250 mW

封装 SOT-23-3 SOT-23 SC-96

长度 3.04 mm - -

宽度 1.4 mm - -

高度 1.02 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

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