对比图
型号 SI2315BDS-T1-E3 SI2315BDS-T1-GE3 PMV65XP,215
描述 VISHAY SI2315BDS-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -12 V, 0.04 ohm, -4.5 V, -900 mVVISHAY SI2315BDS-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -3A, -12V, 750mWNXP PMV65XP,215 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -750 mV
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.04 Ω 0.04 Ω 0.058 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 750 mW 750 mW 833 mW
漏源极电压(Vds) -12.0 V -12.0 V 20 V
连续漏极电流(Ids) -3.00 A -3.00 A -3.90 A
上升时间 - 35 ns 18 ns
下降时间 - 50 ns 68 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
额定功率 750 mW - -
输入电容 715pF @6V - -
栅源击穿电压 ±8.00 V - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
通道数 - - 1
输入电容(Ciss) - - 744pF @20V(Vds)
额定功率(Max) - - 1.92 W
耗散功率(Max) - - 480mW (Ta)
封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3
长度 3.04 mm - 3 mm
高度 1.02 mm - 1 mm
宽度 - - 1.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
包装方式 Cut Tape (CT) - Tape & Reel (TR)
产品生命周期 - - Active
香港进出口证 - - NLR