对比图
描述 射频功率晶体管射频功率晶体管 RF POWER TRANSISTORS RF POWER TRANSISTORSRF功率晶体管的LdmoSTFAMILY RF POWER TRANSISTORS The LdmoSTFAMILYRF功率晶体管的LDMOST系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST FAMILY
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Flange Screw
引脚数 5 5 5
封装 M-246 M-252 M-252
频率 860 MHz 960 MHz 860 MHz
额定电压(DC) 65.0 V 65.0 V 65.0 V
额定电流 14 A 14 A 14 A
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 217 W 236000 mW 236000 mW
输入电容 82.0 pF 169 pF 221 pF
漏源极电压(Vds) 60 V 65.0 V 65 V
漏源击穿电压 65 V 65.0V (min) 65.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 14.0 A 14.0 A 14.0 A
输出功率 100 W 120 W 120 W
增益 16 dB 14 dB 16 dB
测试电流 400 mA 800 mA 400 mA
输入电容(Ciss) 82pF @28V(Vds) 169pF @28V(Vds) 221pF @28V(Vds)
输出功率(Max) 100 W 120 W -
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 217000 mW 236000 mW 236000 mW
额定电压 65 V 65 V 65 V
长度 29.08 mm - -
宽度 5.97 mm - -
高度 5.08 mm - -
封装 M-246 M-252 M-252
工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃ -
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99