对比图
型号 SPB80N06S2L-05 STB80NF55-06T4 SPB80N06S2-H5
描述 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-TransistorSTMICROELECTRONICS STB80NF55-06T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 3 V的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3-2 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 - 3 -
额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V 55.0 V
额定电流 80.0 A 80.0 A 80.0 A
极性 N-CH N-Channel N-CH
耗散功率 300W (Tc) 300 W 300W (Tc)
输入电容 7.53 nF - 550 pF
栅电荷 230 nC - 155 nC
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A 80.0 A
输入电容(Ciss) 7530pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
额定功率(Max) - 300 W 300 W
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.005 Ω -
阈值电压 - 3 V -
漏源击穿电压 - 55.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
上升时间 - 155 ns -
下降时间 - 65 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
封装 TO-263-3-2 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.4 mm -
宽度 - 9.35 mm -
高度 - 4.6 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete
包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 -