对比图
型号 APT7F100B IRFPG50PBF IXFH6N100
描述 N沟道FREDFET N-Channel FREDFET功率MOSFET Power MOSFETIXYS SEMICONDUCTOR IXFH6N100 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1 kV, 2 ohm, 10 V, 4.5 V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) VISHAY (威世) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV 1.00 kV
额定电流 7.30 A 6.10 A 6.00 A
通道数 1 - -
漏源极电阻 1.76 Ω 2 Ω 2 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 290 W 190 W 180 W
阈值电压 2.5 V 4 V 4.5 V
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1 kV
漏源击穿电压 1000 V 1.00 kV -
连续漏极电流(Ids) 7.30 A 6.10 A 6.00 A
上升时间 26 ns 35.0 ns 40 ns
输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) 2800pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 290 W 190 W 180 W
下降时间 22 ns - 60 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 290W (Tc) 190 W 180W (Tc)
额定功率 - 190 W 180 W
针脚数 - 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 - 15.87 mm -
宽度 - 5.31 mm -
高度 - 20.7 mm -
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 - 500 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2014/06/16
香港进出口证 - - NLR