BTS120和BUK100-50GL,127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BTS120 BUK100-50GL,127 BTS110

描述 TEMPFET (N沟道增强型温度传感器晶闸管特性) TEMPFET(N channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)TO-220AB N-CH 50V 13.5ATEMPFET (N沟道增强型温度传感器晶闸管特性) TEMPFET(N-channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 - TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 10.0 A

耗散功率 - - 40 W

输入电容 - - 600 pF

漏源极电压(Vds) - 50 V 100 V

连续漏极电流(Ids) - 13.5A 10.0 A

上升时间 - - 45 ns

输入电容(Ciss) - - 600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 40 W

下降时间 - - 55 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 40000 mW 40000 mW

输出接口数 - 1 -

极性 - N-CH -

输出电流(Max) - 13.5 A -

长度 - - 10 mm

宽度 - - 4.4 mm

高度 - - 15.65 mm

封装 - TO-220-3 TO-220-3

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free Contains Lead

工作温度 - 150℃ (TJ) -

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