VND7NV04-1和VND7NV04-1-E

对比图

型号 VND7NV04-1 VND7NV04-1-E

描述 OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFETOMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-251-3 TO-251-3

输出接口数 1 1

供电电流 - 0.1 mA

漏源极电阻 60.0 mΩ 60.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 60.0 W 60 W

漏源击穿电压 40.0 V 42 V

连续漏极电流(Ids) 6.00 A 6.00 A

输出电流(Max) 6 A 6 A

输出电流(Min) - 6 A

输入数 - 1

耗散功率(Max) - 60000 mW

封装 TO-251-3 TO-251-3

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99