IRF9Z34NS和IRF9Z34STRLPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF9Z34NS IRF9Z34STRLPBF IRF9Z34SPBF

描述 Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3Pin(2+Tab) D2PAK功率MOSFET Power MOSFET功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3

漏源极电阻 - 140 mΩ 140 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 3.8 W 3.7 W 3.7 W

漏源极电压(Vds) 55.0 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 19.0 A -18.0 A -18.0 A

上升时间 55.0 ns 120 ns 120 ns

输入电容(Ciss) - 1100pF @25V(Vds) 1100pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 3.7 W 3.7 W

下降时间 - 58 ns 58 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 3700 mW 3.7 W

额定电压(DC) -55.0 V - -

额定电流 -19.0 A - -

产品系列 IRF9Z34NS - -

漏源击穿电压 -55.0 V - -

阈值电压 - 2V ~ 4V -

长度 - - 10.67 mm

宽度 - - 9.65 mm

高度 - - 4.83 mm

封装 D2PAK TO-263-3 TO-263-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

最小包装 - 2000 2000

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

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