2N6491G和BD910

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6491G BD910 BD240B

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N6491G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -80 V, 5 MHz, 1.8 W, -15 A, 5 hFESTMICROELECTRONICS  BD910  单晶体管 双极, PNP, 80 V, 3 MHz, 90 W, -10 A, 40 hFE中功率线性和开关应用 Medium Power Linear and Switching Applications

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) -80.0 V - -80.0 V

额定电流 15.0 A - -2.00 A

耗散功率 1.8 W 90 W 30 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 20 @5A, 4V 15 @5A, 4V 15 @1A, 4V

额定功率(Max) 1.8 W 90 W 30 W

耗散功率(Max) 1800 mW 90000 mW 30000 mW

针脚数 3 3 -

极性 PNP, P-Channel PNP -

集电极击穿电压 - 80.0 V -

直流电流增益(hFE) 5 40 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

频率 5 MHz - -

热阻 1.67℃/W (RθJC) - -

集电极最大允许电流 15A - -

最大电流放大倍数(hFE) 150 - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 10.28 mm - -

宽度 4.82 mm - -

高度 15.75 mm - -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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