IRLR8743PBF和STD17NF03LT4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR8743PBF STD17NF03LT4 IRLR7843PBF

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRLR8743PBF  场效应管, MOSFET, 30V, 160A, D-PAK 新N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsINTERNATIONAL RECTIFIER  IRLR7843PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 30V, 161A, D-PAK 新

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - 30.0 V 30.0 V

额定电流 - 17.0 A 161 A

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0031 Ω 0.05 Ω 3.3 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 135 W 30 W 140 W

产品系列 IRLR8743 - IRLR7843

阈值电压 1.9 V 1.5 V 2.3 V

输入电容 4880pF @15V 320 pF 4380pF @15V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30.0 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 160 A 17.0 A 161 A

上升时间 - 100 ns 42.0 ns

输入电容(Ciss) 4880pF @15V(Vds) 320pF @25V(Vds) 4380pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 135 W 30 W 140 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

栅源击穿电压 - ±16.0 V -

下降时间 - 22 ns -

耗散功率(Max) - 30W (Tc) -

长度 6.73 mm 6.6 mm 6.73 mm

高度 2.39 mm 2.4 mm 2.26 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

宽度 - 6.2 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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