对比图
型号 IPI086N10N3G IPP126N10N3G IPI12CN10NG
描述 OptiMOS®3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)100V,58A,N沟道功率MOSFETOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-262-3 TO-220 TO-262
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 - - 125 W
上升时间 42 ns 8 ns -
下降时间 8 ns 5 ns -
封装 TO-262-3 TO-220 TO-262
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 - - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
含铅标准 Lead Free Lead Free -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -