IPI086N10N3G

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IPI086N10N3G中文资料参数规格
技术参数

上升时间 42 ns

下降时间 8 ns

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPI086N10N3G
型号: IPI086N10N3G
制造商: Infineon 英飞凌
描述:OptiMOS®3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS ( ON)的乘积( FOM ) OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DSon product FOM
替代型号IPI086N10N3G
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