对比图
型号 IRF1010EZSTRLP STB140NF55T4 STB60NF06LT4
描述 MOSFET MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58NCSTMICROELECTRONICS STB140NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STB60NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - 55.0 V 60.0 V
额定电流 - 80.0 A 60.0 A
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.0065 Ω 0.016 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 140 W 300 W 110 W
阈值电压 - 3 V 1 V
漏源极电压(Vds) 60 V 55 V 60 V
漏源击穿电压 - 55.0 V 60 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±15.0 V
连续漏极电流(Ids) - 80.0 A 60.0 A
上升时间 - 150 ns 220 ns
输入电容(Ciss) 2810pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds) 2000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 140 W 300 W 110 W
下降时间 - 45 ns 30 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 110W (Tc)
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 9.35 mm 9.35 mm
高度 - 4.6 mm 4.6 mm
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99