对比图
型号 SI7322DN-T1-GE3 SIS892ADN-T1-GE3
描述 VISHAY SI7322DN-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 100V, 18A, POWERPAKVISHAY SIS892ADN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 100 V, 0.027 ohm, 10 V, 1.5 V
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
引脚数 8 8
封装 PowerPAK-1212-8 1212
安装方式 - Surface Mount
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.048 Ω 0.027 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 52 W 52 W
阈值电压 2.5 V 1.5 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 18.0 A -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
输入电容(Ciss) - 550pF @50V(Vds)
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 52 W
长度 3.3 mm 3.4 mm
宽度 3.3 mm 3.4 mm
高度 1.04 mm 1.12 mm
封装 PowerPAK-1212-8 1212
包装方式 Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
ECCN代码 EAR99 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃