对比图
型号 IRF1010NSTRR IRF1010NSTRRPBF
描述 D2PAK N-CH 55V 85AD2PAK N-CH 55V 85A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3
极性 N-CH N-CH
耗散功率 180W (Tc) 180 W
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 85A 85A
上升时间 76 ns 76 ns
输入电容(Ciss) 3210pF @25V(Vds) 3210pF @25V(Vds)
下降时间 48 ns 48 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 180W (Tc) 180W (Tc)
额定功率 - 180 W
通道数 - 1
额定功率(Max) - 180 W
封装 TO-263-3 TO-263-3
宽度 - 6.22 mm
材质 Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead 无铅