对比图
型号 STB9NK90Z STP7N95K3 STW7N95K3
描述 N沟道900 V， 1.1 Ω ， 8 A， TO- 220 ， TO- 220FP ， D2PAK ， TO- 247齐纳保护超网™功率MOSFET N-channel 900 V, 1.1 Ω, 8 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STP7N95K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.2 A, 950 V, 1.1 ohm, 10 V, 4 VN 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-247-3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 160 W 150 W 150 W
漏源极电压(Vds) 900 V 950 V 950 V
连续漏极电流(Ids) 8.00 A 7.2A 7.2A
上升时间 13 ns 9 ns 9 ns
输入电容(Ciss) 2115pF @25V(Vds) 1031pF @100V(Vds) 1031pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 160 W 150 W 150 W
下降时间 - 23 ns 23 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 160W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 1.3 Ω 1.1 Ω -
阈值电压 - 4 V -
额定电压(DC) 900 V - -
额定电流 8.00 A - -
通道数 1 - -
漏源击穿电压 900 V - -
长度 10.4 mm 10.4 mm 15.75 mm
宽度 9.35 mm 4.6 mm 5.15 mm
高度 4.6 mm 15.75 mm 20.15 mm
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99