对比图
型号 FDS5670 IRF7855PBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS5670 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 2.4 VN 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 - 2.5 W
通道数 - 1
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.014 Ω 0.0094 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 97 mW
产品系列 - IRF7855
阈值电压 2.4 V 4.9 V
输入电容 2.90 nF 1560pF @25V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 12.0 A
上升时间 10 ns 13 ns
输入电容(Ciss) 2900pF @15V(Vds) 1560pF @25V(Vds)
下降时间 23 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2500 mW
额定电压(DC) 60.0 V -
额定电流 10.0 A -
栅电荷 49.0 nC -
栅源击穿电压 ±20.0 V -
额定功率(Max) 1 W -
长度 5 mm 5 mm
宽度 4 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 -