C4532X7R1H335K200KA和CGA8M2X7R1H335K200KA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 C4532X7R1H335K200KA CGA8M2X7R1H335K200KA C4532X7R1H335M200KA

描述 TDK C 型 1812 系列MLCC C 系列是单片电路结构,可确保极佳的机械强度和可靠性 通过精密技术实现高电容,该技术可使用多个较薄的陶瓷电介质层低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。 由于低 ESR,低自加热且耐高纹波 应用: •一般电子设备 • 移动通信设备 • 电源电路 • 办公自动化设备 • 电视、LED 显示器 • 服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑 ### 1812 系列### 注根据电介质、电压及电容分类。多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT RECOMMENDED ALT 810-CGA8M3X7R1H475KTDK  C4532X7R1H335M200KA  多层陶瓷电容器, 表面贴装, 1812 [4532 公制], 3.3 µF, 50 V, ± 20%, X7R, C Series 新

数据手册 ---

制造商 TDK (东电化) TDK (东电化) TDK (东电化)

分类 陶瓷电容电容陶瓷电容

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装(公制) 4532 4832 4532

封装 1812 1812 1812

引脚数 2 - 2

额定电压(DC) 50.0 V 50 V 50.0 V

电容 3.3 µF 3.3 µF 3.3 µF

容差 ±10 % ±10 % ±20 %

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压 50 V 50 V 50 V

电介质特性 X7R - X7R

长度 4.5 mm 4.5 mm 4.50 mm

宽度 3.20 mm 3.2 mm 3.20 mm

高度 2 mm 2.5 mm 2 mm

封装(公制) 4532 4832 4532

封装 1812 1812 1812

厚度 2.00 mm - 2.00 mm

材质 X7R/-55℃~+125℃ X7R/-55℃~+125℃ X7R/-55℃~+125℃

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

介质材料 Ceramic Multilayer - Ceramic Multilayer

温度系数 ±15 % - -

产品生命周期 Active Production (Not Recommended for New Design) Production (Not Recommended for New Design)

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

最小包装 500 1000 1000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

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