对比图
描述 PNP通用放大器 PNP General Purpose AmplifierTO-236AB PNP 32V 0.1AON SEMICONDUCTOR BCW30LT1G 单晶体管 双极, PNP, -32 V, 225 mW, -100 mA, 215 hFE
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) -32.0 V - -32.0 V
额定电流 -500 mA - -100 mA
针脚数 - - 3
极性 - PNP PNP
耗散功率 0.35 W 250 mW 225 mW
击穿电压(集电极-发射极) 32 V 32 V 32 V
集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 215 @2mA, 5V 215 @2mA, 5V 215 @2mA, 5V
额定功率(Max) 350 mW 250 mW 225 mW
直流电流增益(hFE) - - 215
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 350 mW 250 mW 300 mW
最大电流放大倍数(hFE) - 215 @2mA, 5V -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
高度 0.93 mm - -
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2016/06/20
ECCN代码 EAR99 - EAR99