FDB8874和ISL9N304AS3ST的区别_FDB8874代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDB8874 ISL9N304AS3ST ISL9N304AS3STL99Z

描述 N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFETN沟道逻辑电平UltraFET沟槽MOSFET的30V ， 75A ， 4.5mз N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 4.5mзPower Field-Effect Transistor, 75A I(D), 30V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 - -

封装 TO-263-3 TO-263 -

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 121 A - -

通道数 1 - -

漏源极电阻 0.0047 Ω 4.50 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 110 W 145 W -

阈值电压 2.5 V - -

输入电容 3.13 nF - -

栅电荷 56.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

漏源击穿电压 30 V 30.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 121 A 75.0 A -

上升时间 135 ns - -

输入电容(Ciss) 3130pF @15V(Vds) - -

额定功率(Max) 110 W - -

下降时间 34 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

耗散功率(Max) 110W (Tc) - -

长度 10.67 mm - -

宽度 9.65 mm - -

高度 4.83 mm - -

封装 TO-263-3 TO-263 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -