ISL9N304AS3ST

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ISL9N304AS3ST中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 4.50 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 145 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 75.0 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买ISL9N304AS3ST
型号: ISL9N304AS3ST
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道逻辑电平UltraFET沟槽MOSFET的30V , 75A , 4.5mз N-Channel Logic Level UltraFET Trench MOSFETs 30V, 75A, 4.5mз
替代型号ISL9N304AS3ST
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

ISL9N304AS3ST

Fairchild 飞兆/仙童

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