L6388E和L6388ED

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 L6388E L6388ED IRS2304PBF

描述 L6388 系列 双通道 400 mA 125 Ω 高压 高边和低边 驱动器 - DIP-8STMICROELECTRONICS  L6388ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9.6V-17V电源, 650mA输出, 160ns延迟, SOIC-8Driver 600V 0.6A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8Pin PDIP Tube

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 SOIC-8 DIP-8

电源电压(DC) - 9.60V (min) 10.0V (min)

输出接口数 2 2 2

输出电压 - - 620 V

耗散功率 750 mW 750 mW 1 W

产品系列 - - IRS2304

上升时间 100 ns 100 ns 120 ns

下降时间 80 ns 80 ns 50 ns

下降时间(Max) 80 ns 80 ns 50 ns

上升时间(Max) 100 ns 100 ns 120 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -45 ℃ -45 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 750 mW 750 mW 1000 mW

电源电压 - 17 V 10V ~ 20V

电源电压(Max) 17 V 17 V 20 V

电源电压(Min) - 9.6 V 10 V

上升/下降时间 70ns, 40ns 70ns, 40ns -

针脚数 8 8 -

输出电流(Max) 0.65 A 0.65 A -

频率 - 0.4 MHz -

封装 DIP-8 SOIC-8 DIP-8

长度 10.92 mm 4.9 mm -

宽度 6.6 mm 3.9 mm -

高度 3.32 mm 1.25 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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