BD675G和BD677G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD675G BD677G BD675

描述 ON SEMICONDUCTOR  BD675G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 45 V, 1 MHz, 40 W, 4 A, 750 hFEON SEMICONDUCTOR  BD677G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 200 MHz, 40 W, 4 A, 750 hFE达林顿功率晶体管NPN硅 DARLINGTON POWER TRANSISTORS NPN SILICON

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) 45.0 V -60.0 V 45.0 V

额定电流 4.00 A -4.00 A 4.00 A

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 60 V 45 V

集电极最大允许电流 4A 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 750 @1.5A, 3V 750 @1.5A, 3V 750 @1.5A, 3V

额定功率(Max) 40 W 40 W 40 W

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

针脚数 3 3 -

耗散功率 40 W 40 W -

直流电流增益(hFE) 750 750 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 40000 mW 40000 mW -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

长度 7.74 mm - -

宽度 2.66 mm - -

高度 11.04 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Bulk Bulk

最小包装 - - 500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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