IGB30N60T和STGB20NC60V

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IGB30N60T STGB20NC60V IRG4BC40SPBF

描述 低损耗IGBT的工艺TRENCHSTOP Low Loss IGBT in TrenchStop technologySTGB19NC60V 系列 600 V 30 A 耐短路 IGBT 表面贴装 - D2PAKTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 160000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3

极性 - - N-Channel

产品系列 - - IRG4BC40S

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

额定功率(Max) 187 W 200 W 160 W

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定功率 187 W - -

耗散功率(Max) 187000 mW 200000 mW -

针脚数 - 3 -

耗散功率 - 200 W -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220-3

长度 10 mm - -

宽度 9.25 mm - -

高度 4.4 mm - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

工作温度 -40℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

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