对比图
型号 STI90N4F3 STP90N4F3 STD95N04
描述 N沟道40 V， 5.0毫欧， 80 A， DPAK ， TO- 220 ， IPAK ， I2PAK的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 40 V, 5.0 mΩ, 80 A, DPAK, TO-220, IPAK, I2PAK STripFET™ III Power MOSFETN沟道40 V， 5.0毫欧， 80 A， DPAK ， TO- 220 ， IPAK ， I2PAK的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 40 V, 5.0 mΩ, 80 A, DPAK, TO-220, IPAK, I2PAK STripFET™ III Power MOSFETN沟道40V - 5.4mohm - 80A - DPAK - TO- 220的STripFET功率MOSFET N-CHANNEL 40V - 5.4mohm - 80A - DPAK - TO-220 STripFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-252-3
耗散功率 110W (Tc) 110 W 110 W
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
上升时间 - 60 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 2200pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 110 W 110 W
下降时间 - 15 ns 15 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)
额定电压(DC) - - 40.0 V
额定电流 - - 80.0 A
通道数 - - 1
漏源极电阻 - - 6.5 mΩ
极性 - - N-Channel
输入电容 - - 2.20 nF
栅电荷 - - 54.0 nC
漏源击穿电压 - - 40 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - - 80.0 A
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-252-3
长度 - - 6.6 mm
宽度 - - 6.2 mm
高度 - - 2.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -