STI90N4F3参数规格_中文资料_数据手册PDF

STI90N4F3概述

N沟道40 V， 5.0毫欧， 80 A， DPAK ， TO- 220 ， IPAK ， I2PAK的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 40 V, 5.0 mΩ, 80 A, DPAK, TO-220, IPAK, I2PAK STripFET™ III Power MOSFET

通孔 N 通道 40 V 80A（Tc） 110W（Tc） I2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 40V 80A I2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube

STI90N4F3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 110W Tc

漏源极电压Vds 40 V

输入电容Ciss 2200pF @25VVds

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STI90N4F3

型号： STI90N4F3

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道40 V， 5.0毫欧， 80 A， DPAK ， TO- 220 ， IPAK ， I2PAK的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 40 V, 5.0 mΩ, 80 A, DPAK, TO-220, IPAK, I2PAK STripFET™ III Power MOSFET

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替代型号STI90N4F3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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