对比图
型号 NVF2955T1G STN3PF06 NTF2955T1G
描述 P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorSTMICROELECTRONICS STN3PF06 晶体管, MOSFET, P沟道, 2.5 A, -60 V, 200 mohm, 10 V, 4 VON SEMICONDUCTOR NTF2955T1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 2.6 A, -60 V, 170 mohm, 20 V, -4 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 4
封装 TO-261-4 SOT-223-3 TO-261-4
额定电压(DC) - -60.0 V -60.0 V
额定电流 - -2.50 A -2.60 A
通道数 - 1 1
针脚数 4 4 3
漏源极电阻 0.145 Ω 200 mΩ 0.145 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 2.3 W 2.5 W 1 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 - 60 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - 2.50 A 2.60 A, 2.60 mA
上升时间 7.6 ns 40 ns 7.6 ns
输入电容(Ciss) 492pF @25V(Vds) 850pF @25V(Vds) 492pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.3 W 2.5 W 1 W
下降时间 38 ns 17 ns 38 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1W (Ta) 2.5W (Tc) 2300 mW
输入电容 - - 492 pF
栅电荷 - - 14.3 nC
长度 6.7 mm 6.5 mm 6.5 mm
宽度 3.7 mm 3.5 mm 3.5 mm
高度 1.65 mm 1.8 mm 1.57 mm
封装 TO-261-4 SOT-223-3 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99