STMICROELECTRONICS STN3PF06 晶体管, MOSFET, P沟道, 2.5 A, -60 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
Description
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronics unique “single feature size” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
Features
■ Extremely dv/dt capability
■ 100% avalanche tested
■ Application oriented characterization
Application
■ Switching applications
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -2.50 A
通道数 1
针脚数 4
漏源极电阻 200 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 2.50 A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 850pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 17 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 2.5W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223-3
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.8 mm
封装 SOT-223-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STN3PF06 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
NTF2955T1G 安森美 | 功能相似 | STN3PF06和NTF2955T1G的区别 |
STN3P6F6 意法半导体 | 功能相似 | STN3PF06和STN3P6F6的区别 |
NVF2955T1G 安森美 | 功能相似 | STN3PF06和NVF2955T1G的区别 |