对比图



描述 NXP BST52 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 200 MHz, 1.3 W, 1 A, 2000 hFEBST52TA 编带NXP BST52,115 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 200 MHz, 1.3 W, 1 A, 1000 hFE
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Diodes (美台) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-89 SOT-89-3 SOT-89-3
针脚数 3 3 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 1.3 W 1 W 1.3 W
直流电流增益(hFE) 2000 2000 1000
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
击穿电压(集电极-发射极) - 80 V 80 V
集电极最大允许电流 - 0.5A 1A
最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @150mA, 10V 2000 @500mA, 10V
额定功率(Max) - 1 W 1.3 W
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
增益带宽 - - 200 MHz
耗散功率(Max) - 1000 mW 1300 mW
额定电压(DC) - 80.0 V -
额定电流 - 500 mA -
封装 SOT-89 SOT-89-3 SOT-89-3
长度 - - 4.6 mm
宽度 - - 2.6 mm
高度 - - 1.6 mm
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
香港进出口证 - - NLR
ECCN代码 - EAR99 -