对比图
描述 RF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILYLdmoST 塑料系列 N沟道 增强模式 射频 功率晶体管
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 晶体管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 10 3
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF
频率 960 MHz 960 MHz
额定电压(DC) - 65.0 V
额定电流 - 250 mA
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 4.75 W 4.75 W
漏源极电压(Vds) - 65.0 V
漏源击穿电压 65 V 65.0 V
连续漏极电流(Ids) 250 mA 250 mA
输出功率 2 W 2 W
增益 15 dB 15 dB
测试电流 10 mA 10 mA
输入电容(Ciss) - 7.1pF @28V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 165 ℃
工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 4750 mW
额定电压 65 V 65 V
电源电压(DC) 28.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V -
长度 7.5 mm 7.5 mm
宽度 9.4 mm 9.4 mm
高度 3.5 mm 3.5 mm
封装 PowerSO-10RF PowerSO-10RF
工作温度 - -65℃ ~ 165℃
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99