对比图
型号 FDB047N10 IRFS4010PBF IRF3808SPBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB047N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.0039 ohm, 10 V, 3.5 VMOSFET，Infineon### 电动机控制 MOSFETInfineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。 ### 同步整流器 MOSFET同步整流 MOSFET 设备的组合，适用于交流-直流电源，支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N沟道 75V 106A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.0039 Ω 0.0039 Ω 7 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 375 W 375 W 200 W
阈值电压 3.5 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 164A 180A 106 A
上升时间 386 ns 86 ns 140 ns
输入电容(Ciss) 15265pF @25V(Vds) 9575pF @50V(Vds) 5310pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 375 W - 200 W
下降时间 244 ns 77 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 375W (Tc) 375W (Tc) -
额定电压(DC) - - 75.0 V
额定电流 - - 106 A
产品系列 - - IRF3808S
输入电容 - - 5310pF @25V
漏源击穿电压 - - 75 V
额定功率 - 375 W -
通道数 - 1 -
长度 10.67 mm - 10.67 mm
宽度 11.33 mm - -
高度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Discontinued at Digi-Key Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2014/12/17
ECCN代码 - EAR99 -