对比图
型号 CSD18509Q5B CSD18510Q5B CSD18509Q5BT
描述 40V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD18509Q5B40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、0.96mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150TEXAS INSTRUMENTS CSD18509Q5BT 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.001 ohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 VSON-CLIP 8-VSON-CLIP VSON-Clip-8
极性 N-CH - N-Channel
耗散功率 3.1 W 3.1 W 195 W
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 100A - 100A
上升时间 19 ns 17 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 13900pF @20V(Vds) 8770pF @20V(Vds) 10700pF @20V(Vds)
下降时间 11 ns 15 ns 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 195W (Tc) 3100 mW 3.1W (Ta), 195W (Tc)
通道数 - - 1
针脚数 - - 8
漏源极电阻 - - 0.001 Ω
阈值电压 - - 1.8 V
漏源击穿电压 - - 40 V
封装 VSON-CLIP 8-VSON-CLIP VSON-Clip-8
长度 - - 5 mm
宽度 - - 5 mm
高度 - - 1 mm
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - -
香港进出口证 NLR - -