BC856B和BC856BLT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC856B BC856BLT3G BC856BLT1G

描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1Element, PNP, Silicon, TO-236, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3PNP 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管ON SEMICONDUCTOR  BC856BLT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -65 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 100 hFE

数据手册 ---

制造商 Diotec Semiconductor ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

频率 100 MHz 100 MHz -

耗散功率 0.25 W 225 mW 300 mW

增益频宽积 100 MHz - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 250 mW 300 mW -

额定电压(DC) - -65.0 V -65.0 V

额定电流 - -100 mA -100 mA

极性 - PNP PNP, P-Channel

击穿电压(集电极-发射极) - 65 V -65.0 V

集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A

额定功率 - 225 mW -

针脚数 - 3 -

最小电流放大倍数(hFE) - 220 @2mA, 5V -

额定功率(Max) - 225 mW -

直流电流增益(hFE) - 220 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 0.94 mm -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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